1. MUN5135T1G
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厂商型号

MUN5135T1G 

产品描述

SS SC70 BR XSTR PNP 50V

内部编号

277-MUN5135T1G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:267000
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:12307
5+¥0.933
100+¥0.334
1000+¥0.218
3000+¥0.171
9000+¥0.151
24000+¥0.137
最小起订量:1
新加坡
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#3

数量:14873
1+¥1.0257
10+¥0.9573
100+¥0.335
1000+¥0.2256
3000+¥0.1709
9000+¥0.1504
24000+¥0.1368
45000+¥0.1162
99000+¥0.0957
最小起订量:1
美国加州
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
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MUN5135T1G产品详细规格

规格书 MUN5135T1G datasheet 规格书
MUN5135T1G datasheet 规格书
MUN5135, DTA123Jxx, NSBA123JF3
MUN5135T1G datasheet 规格书
文档 Copper Wire 29/Oct/2009
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Copper Wire Change 29/Oct/2009
标准包装 3,000
晶体管类型 PNP - Pre-Biased
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻 - 基地(R1)(欧姆) 2.2k
电阻器 - 发射基地(R2)(欧姆) 47k
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 80 @ 5mA, 10V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 250mV @ 300µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) 500nA
频率转换 -
功率 - 最大 202mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 SC-70, SOT-323
供应商器件封装 SC-70-3 (SOT323)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SC-70
配置 Single
类型 PNP
最大集电极发射极电压 50 V
峰值直流集电极电流 100 mA
最小直流电流增益 80@5mA@10V
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 PNP - Pre-Biased
电阻器 - 基( R1 ) (欧姆) 2.2k
电流 - 集电极截止(最大) 500nA
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 250mV @ 300µA, 10mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 SC-70-3 (SOT323)
封装 Tape & Reel (TR)
电阻器 - 发射极基( R 2 ) (欧姆) 47k
功率 - 最大 202mW
封装/外壳 SC-70, SOT-323
安装类型 Surface Mount
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 80 @ 5mA, 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 MUN5135T1GOSCT
工厂包装数量 3000
产品种类 Transistors Switching - Resistor Biased
晶体管极性 PNP
典型输入电阻 2.2 KOhms
直流集电极/增益hfe最小值 80
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 发射极最大电压VCEO 50 V
功率耗散 202 mW
最低工作温度 - 55 C
典型电阻器比率 0.047
连续集电极电流 0.1 A
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
集电极 - 发射极电压 50 V
包装类型 SC-70
引脚数 3
直流电流增益(最小值) 80
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
直流电流增益 80
宽度 1.24 mm
直流电流增益hFE最大值 80
长度 2.1 mm
系列 MUN5135
身高 0.85 mm
Pd - Power Dissipation 202 mW
品牌 ON Semiconductor
associated 80-4-5

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